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IPL60R125C7AUMA1备选型号: IPB65R125C7ATMA2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN417A Tc4V @ 390μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72008e3yes活跃2A (4 Weeks)EAR99Tin (Sn)未说明未说明N-Channel125m Ω @ 7.8A, 10V无卤素1500pF @ 400V34nC @ 10V±20V17A600Vnot_compliantROHS3 Compliant含铅-
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-18A Tc4V @ 440μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C7---活跃1 (Unlimited)----N-Channel125m Ω @ 8.9A, 10V-1670pF @ 400V35nC @ 10V±20V---ROHS3 Compliant-650V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | N-Channel 600 V 104 mOhm 42 nC Surface Mount CoolMOS? Power Mosfet - VSON-4 | 对比 |
 | STL33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 600V 21.5A 4-Pin Power Flat EP T/R | 对比 |
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