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IPL60R255P6AUMA1备选型号: IPL60R210P6AUMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 600V 4VSON12 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON15.9A Tc4.5V @ 530μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ P62014yesObsolete2A (4 Weeks)4SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING255m Ω @ 6.4A, 10V无卤素1450pF @ 100V31nC @ 10V±20V15.9A600V0.255Ohm352 mJ符合RoHS标准含铅-- Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON14.5V @ 630μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ P62008yes活跃2A (4 Weeks)4SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING210m Ω @ 7.6A, 10V无卤素1750pF @ 100V37nC @ 10V±20V19.2A600V0.21Ohm-ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free52A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | 对比 |
 | STB24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus | 对比 |
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