IPL60R2K1C6SATMA1备选型号: FQD4N50TM

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 无铅
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    2.3A Tc
    3.5V @ 60μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    1
    Single
    7 ns
    N-Channel
    2.1 Ω @ 760mA, 10V
    无卤素
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    50 ns
    2.3A
    30V
    600V
    600V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    1
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    12 ns
    N-Channel
    2.7 Ω @ 1.3A, 10V
    -
    460pF @ 25V
    13nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    30 ns
    2.6A
    30V
    -
    500V
    符合RoHS标准
    无铅
    2.7Ohm
    500V
    2.6A
    2.5W
    6.6mm
    2.3mm
    6.1mm
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