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IPL65R070C7AUMA1备选型号: FCB36N60NTM
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 4VSON18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON28A Tc4V @ 850μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72013e3yes活跃2A (4 Weeks)4Tin (Sn)SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 8.5A, 10V无卤素3020pF @ 100V64nC @ 10V6ns±20V11 ns28A20V650V0.07Ohm171 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-------------
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-36A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SupreMOS™2013e3yesACTIVE (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)-------增强型MOSFET-23 nsN-Channel-90m Ω @ 18A, 10V-4785pF @ 100V112nC @ 10V22ns±30V4 ns36A20V---无SVHCROHS3 Compliant无铅Tin1.762gEAR9990MOhmFCB36N60Single312W2V600V4.83mm10.67mm11.33mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCB36N60NTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK | 对比 |
 | STL45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT | 对比 |
 | STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
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