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IPL65R130C7AUMA1备选型号: STL22N65M5
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON15A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72010e3活跃2A (4 Weeks)4Tin (Sn)无铅未说明not_compliant未说明1Single增强型MOSFET102WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 4.4A, 10V4V @ 440μA无卤素1670pF @ 400V35nC @ 10V5.3ns±20V12 ns15A20V650V650V75A89 mJROHS3 Compliant含铅--------
MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh V12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN5-15A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V--活跃3 (168 Hours)-------Single-110W-43 nsN-Channel-210m Ω @ 8.5A, 10V5V @ 250μA-1345pF @ 100V36nC @ 10V7.5ns±25V7.5 ns15A20V-650V--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99210MOhmSTL22950μm8mm8mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STL22N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh V | 对比 |
 | STB21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | 对比 |
 | IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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