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首页 全部分类 IPL65R165CFDAUMA1 vs STB30N65M5

IPL65R165CFDAUMA1备选型号: STB30N65M5

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  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPL65R165CFDAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 4VSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    21.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2013
    e3
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    无卤素
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    ±20V
    21.3A
    650V
    0.165Ohm
    67A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB30N65M5
    STMicroelectronics
    STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    22A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ V
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    鸥翼
    245
    -
    30
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    139m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    2880pF @ 100V
    64nC @ 10V
    ±25V
    22A
    -
    -
    88A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    EAR99
    139MOhm
    雪崩能源评级
    STB30N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    140W
    50 ns
    8ns
    10 ns
    25V
    650V
    500 mJ
    无
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STB30N65M5 STB30N65M5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK 对比