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IPL65R210CFDAUMA1备选型号: IPB65R190CFDAATMA1
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
MOSFET N-CH 4VSON18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON16.6A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2013e3活跃2A (4 Weeks)4Tin (Sn)SINGLE无铅未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING210m Ω @ 7.3A, 10V4.5V @ 700μA无卤素1850pF @ 100V68nC @ 10V±20V16.6A650V0.21Ohm53AROHS3 Compliant含铅------
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-17.5A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™2012-活跃1 (Unlimited)----------N-Channel-190mOhm @ 7.3A, 10V4.5V @ 700μA无卤素1850pF @ 100V68nC @ 10V±20V17.5A650V--ROHS3 Compliant含铅D2PAK (TO-263AB)150°C-40°C650V1.85nF190 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
| STB28N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK | 对比 |
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