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价格梯度

内地含税价

1

￥39.503486
10

￥37.26744
100

￥35.157962
500

￥33.167889
1000

￥31.290461

Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1

Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB65R190CFDAATMA1
Price: 39.5 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB65R190CFDAATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB65R190CFDAATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH TO263-3

起订量

--最小包装量--

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IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3

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IPB65R190CFDAATMA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

151W Tc
操作温度

-40°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
已出版

2012
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-40°C
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 700μA
无卤素

无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1850pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

17.5A
最大双电源电压

650V
输入电容

1.85nF
最大rds

190 mΩ
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

含铅

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IPB65R190CFDAATMA1拓展信息

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