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IPL65R230C7AUMA1备选型号: STL19N65M5
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON10A Tc4V @ 240μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72010e3yes活跃2A (4 Weeks)4Tin (Sn)SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET67WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING230m Ω @ 2.4A, 10V无卤素996pF @ 400V20nC @ 10V5ns±20V22 ns10A20V650V0.23Ohmnot_compliantROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON2.3A Ta 12.5A Tc5V @ 250μA150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V---活跃3 (168 Hours)4-SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING240m Ω @ 7.5A, 10V-1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V9 ns12.5A25V---ROHS3 Compliant无铅EAR99215mOhmSTL19S-PSSO-N41650V2.3A710V50A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 | 对比 |
 | IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
| STL19N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT | 对比 |
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