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IPL65R310E6AUMA1备选型号: STB24N65M2
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 4VSON12 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON13.1A Tc3.5V @ 400μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ E62013Obsolete2A (4 Weeks)4SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING310m Ω @ 4.4A, 10V无卤素950pF @ 100V45nC @ 10V±20V13.1A650V0.31Ohm36A290 mJ符合RoHS标准含铅-----
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON16A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ M2-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING230m Ω @ 8A, 10V-1060pF @ 100V29nC @ 10V±25V16A-0.23Ohm64A650 mJROHS3 Compliant无铅EAR99STB24NR-PSSO-G2650V650V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| STB24N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK | 对比 |
 | IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
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