IPL65R340CFDAUMA1备选型号: STB15N65M5
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 650V 10.9A 4-Pin VSON EP T/R16 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN410.9A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2010e3不用于新设计2A (4 Weeks)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明211 nsN-Channel340m Ω @ 4.4A, 10V4.5V @ 400μA无卤素1100pF @ 100V41nC @ 10V7.5ns±20V7 ns10.9A20V650V650VROHS3 Compliant含铅-----------------
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB311A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V-e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed245-30-30 nsN-Channel340m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA-810pF @ 100V22nC @ 10V-±25V-11A25V-650VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)SILICON2340MOhm鸥翼STB15NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET85WDRAINSWITCHING44A4.6mm10.4mm9.35mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB65R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |





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