Infineon Technologies IPL65R340CFDAUMA1
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IPL65R340CFDAUMA1
1211-IPL65R340CFDAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-PowerTSFN
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Trans MOSFET N-CH 650V 10.9A 4-Pin VSON EP T/R
1最小包装量--
IPL65R340CFDAUMA1详情
Infineon Technologies IPL65R340CFDAUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-PowerTSFN
引脚数
4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
104.2W Tc
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
2A (4 Weeks)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
340m Ω @ 4.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 400μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
7.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
10.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
漏源击穿电压
650V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPL65R340CFDAUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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