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首页 全部分类 IPN60R2K1CEATMA1 vs IPN70R1K5CEATMA1

IPN60R2K1CEATMA1备选型号: IPN70R1K5CEATMA1

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  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPN60R2K1CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-223-3
    3
    SILICON
    3.7A Tc
    3.5V @ 60μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1 Ω @ 800mA, 10V
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    600V
    ±20V
    3.7A
    3V
    600V
    超级交界处
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPN70R1K5CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-223-3
    3
    -
    5W Tc
    3.5V @ 100μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2002
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.5Ohm @ 1A, 10V
    225pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    700V
    ±20V
    5.4A
    3V
    -
    超级交界处
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    PG-SOT223
    150°C
    -40°C
    225pF
    1.35Ohm
    1.5 Ω
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