Infineon Technologies IPN70R1K5CEATMA1
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IPN70R1K5CEATMA1
1211-IPN70R1K5CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-223-3
大陆
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MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
--最小包装量--
IPN70R1K5CEATMA1详情
Infineon Technologies IPN70R1K5CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-223-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-SOT223
Power Dissipation (Max)
5W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.4A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 100μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
系列
CoolMOS™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
225pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
700V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
5.4A
阈值电压
3V
输入电容
225pF
场效应管特性
超级交界处
漏源电阻
1.35Ohm
最大rds
1.5 Ω
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPN70R1K5CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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