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首页 全部分类 IPP034NE7N3GXKSA1 vs IPP034N08N5AKSA1

IPP034NE7N3GXKSA1备选型号: IPP034N08N5AKSA1

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPP034NE7N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 75 V 3.4 mOhm 88 nC OptiMOS? Power Mosfet - TO-220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4m Ω @ 100A, 10V
    3.8V @ 155μA
    无卤素
    8130pF @ 37.5V
    117nC @ 10V
    85ns
    ±20V
    10 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    75V
    400A
    640 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP034N08N5AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4m Ω @ 100A, 10V
    3.8V @ 108μA
    无卤素
    6240pF @ 40V
    87nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    12 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    80V
    480A
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    6.000006g
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    DRAIN
    0.0034Ohm
    80V
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