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首页 全部分类 IPP040N06NAKSA1 vs IPP057N06N3GXKSA1

IPP040N06NAKSA1备选型号: IPP057N06N3GXKSA1

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  • 终止次数
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 资历状况
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • Infineon Technologies
    IPP040N06NAKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    SILICON
    20A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    107W
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 80A, 10V
    2.8V @ 50μA
    无卤素
    2700pF @ 30V
    38nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    9 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    60V
    20A
    0.004Ohm
    60V
    320A
    70 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP057N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    13 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    115W
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 58μA
    无卤素
    6600pF @ 30V
    82nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    9 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    60V
    -
    0.0057Ohm
    -
    -
    77 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    3
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    24 ns
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