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首页 全部分类 IPP045N10N3GHKSA1 vs FDP032N08B-F102

IPP045N10N3GHKSA1备选型号: FDP032N08B-F102

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 质量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • Infineon Technologies
    IPP045N10N3GHKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    PG-TO220-3
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    27 ns
    N-Channel
    4.5mOhm @ 100A, 10V
    3.5V @ 150μA
    8410pF @ 50V
    117nC @ 10V
    59ns
    100V
    ±20V
    14 ns
    100A
    20V
    100V
    8.41nF
    4.2mOhm
    4.5 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP032N08B-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    38 ns
    N-Channel
    3.3m Ω @ 100A, 10V
    4.5V @ 250μA
    10965pF @ 40V
    144nC @ 10V
    44ns
    80V
    ±20V
    31 ns
    120A
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    1.8g
    yes
    Single
    增强型MOSFET
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