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首页 全部分类 IPP052N08N5AKSA1 vs IPP040N06N3GXKSA1

IPP052N08N5AKSA1备选型号: IPP040N06N3GXKSA1

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  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • Infineon Technologies
    IPP052N08N5AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.000006g
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 80A, 10V
    3.8V @ 66μA
    无卤素
    3770pF @ 40V
    53nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    7 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    80V
    0.0052Ohm
    320A
    84 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP040N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - MOSFET, N CH, 90A, 60V, PG-TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 90μA
    无卤素
    11000pF @ 30V
    98nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    5 ns
    90A
    TO-220AB
    20V
    60V
    0.004Ohm
    -
    165 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    188W
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