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IPP093N06N3GHKSA1备选型号: PSMN7R6-60XSQ
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- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-312 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008Obsolete1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定SINGLEunknownSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET15 nsN-ChannelSWITCHING9.3m Ω @ 50A, 10V4V @ 34μA2900pF @ 30V36nC @ 10V40ns60V±20V5 ns50ATO-220AB20V200A60V符合RoHS标准
PSMN7R6-60XS/TO-220F/STANDARD--通孔TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab--51.5A Tc-55°C~175°C TJTube-2014Obsolete1 (Unlimited)--------N-Channel-7.8m Ω @ 25A, 10V4.6V @ 1mA2651pF @ 30V38.7nC @ 10V-60V±20V------ROHS3 Compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP084N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3 | 对比 |
| PSMN7R6-60XSQ | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | PSMN7R6-60XS/TO-220F/STANDARD | 对比 |
 | IPA093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack | 对比 |
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