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首页 全部分类 IPP100N04S2L03AKSA1 vs IPA041N04NGXKSA1

IPP100N04S2L03AKSA1备选型号: IPA041N04NGXKSA1

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S2L03AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    19 ns
    N-Channel
    3.3m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    6000pF @ 25V
    230nC @ 10V
    51ns
    ±20V
    27 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    40V
    40V
    400A
    810 mJ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA041N04NGXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V TO220-3
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    3
    -
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    16 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 70A, 10V
    4V @ 45μA
    无卤素
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    3.8ns
    ±20V
    4.8 ns
    70A
    -
    20V
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    通孔
    PG-TO220-FP
    175°C
    -55°C
    40V
    4.5nF
    3.5mOhm
    4.1 mΩ
    无铅
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