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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.408479
10
¥5.102339
100
¥4.813527
500
¥4.541063
1000
¥4.284022
Infineon Technologies IPA041N04NGXKSA1
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- 对比
IPA041N04NGXKSA1
1211-IPA041N04NGXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 40V TO220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA041N04NGXKSA1详情
Infineon Technologies IPA041N04NGXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-FP
Power Dissipation (Max)
35W Tc
Turn Off Delay Time
23 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 45μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A Tc
系列
OptiMOS™
已出版
2013
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.1mOhm @ 70A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4500pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
上升时间
3.8ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.8 ns
连续放电电流(ID)
70A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
输入电容
4.5nF
漏源电阻
3.5mOhm
最大rds
4.1 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPA041N04NGXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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