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IPP100N06S205AKSA1备选型号: IPA041N04NGXKSA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S205AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    100A Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    21 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    5110pF @ 25V
    170nC @ 10V
    31ns
    55V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    20V
    0.005Ohm
    400A
    55V
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA041N04NGXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V TO220-3
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    -
    70A Tc
    2013
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    16 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 70A, 10V
    4V @ 45μA
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    3.8ns
    40V
    ±20V
    70A
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    13 Weeks
    PG-TO220-FP
    175°C
    -55°C
    无卤素
    4.8 ns
    40V
    4.5nF
    3.5mOhm
    4.1 mΩ
    无铅
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