IPP100N08N3GHKSA1备选型号: STP75NF75FP
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube通孔通孔TO-220-3SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2009Obsolete1 (Unlimited)3EAR99SINGLER-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET100W14 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 46A, 10V3.5V @ 46μA2410pF @ 40V35nC @ 10V46ns80V±20V5 ns70ATO-220AB20V280A80V90 mJ无符合RoHS标准--------------
- N channel 75 V 11 mOhm Flange Mount StripFET II Power Mosfet - TO-220FP通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ II-活跃1 (Unlimited)3EAR99---增强型MOSFET45W25 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3700pF @ 25V160nC @ 10V100ns-±20V30 ns80ATO-220AB20V--700 mJ无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks3e3Matte Tin (Sn) - annealedSTP75N31SingleISOLATED2V75V175°C20mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP084N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3 | 对比 |
![]() | IRFB7787PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 83A TO220 | 对比 |
![]() | IRFB7740PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 87A TO220 | 对比 |





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