Infineon Technologies IPP100N08N3GHKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 46A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 46μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2410pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

46ns

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

70A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

DS 击穿电压-最小值

80V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准