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IPP120N06S402AKSA2备选型号: FDP023N08B-F102

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  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP120N06S402AKSA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    PG-TO220-3-1
    6.000006g
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    1
    188W
    N-Channel
    2.8mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 140μA
    15750pF @ 25V
    195nC @ 10V
    60V
    ±20V
    120A
    20V
    60V
    15.75nF
    2.8 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP023N08B-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    2.346g
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    245W
    N-Channel
    2.35m Ω @ 75A, 10V
    3.8V @ 250μA
    13765pF @ 37.5V
    195nC @ 10V
    -
    ±20V
    120A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    17 Weeks
    3
    yes
    Single
    增强型MOSFET
    41 ns
    71ns
    56 ns
    75V
    无
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