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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥26.858397
10
¥25.338111
100
¥23.903878
500
¥22.550828
1000
¥21.274366
ON Semiconductor FDP023N08B-F102
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FDP023N08B-F102
1807-FDP023N08B-F102
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDP023N08B-F102详情
ON Semiconductor FDP023N08B-F102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
2.346g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
245W Tc
Turn Off Delay Time
111 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
245W
接通延迟时间
41 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.35m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13765pF @ 37.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
195nC @ 10V
上升时间
71ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
56 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDP023N08B-F102拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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