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首页 全部分类 IPP120N20NFDAKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1

IPP120N20NFDAKSA1备选型号: IPP075N15N3GXKSA1

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP120N20NFDAKSA1
    Infineon Technologies
    IPP120N20NFD Series 200 V 84 A OptiMOS?FD Power Transistor MOSFET - TO-220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    84A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    12m Ω @ 84A, 10V
    4V @ 270μA
    无卤素
    6650pF @ 100V
    87nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    8 ns
    84A
    TO-220AB
    20V
    200V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP075N15N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    增强型MOSFET
    300W
    -
    25 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 270μA
    无卤素
    5470pF @ 75V
    93nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    14 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    150V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    0.0075Ohm
    400A
    780 mJ
    无
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