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首页 全部分类 IPP16CN10NGHKSA1 vs FDP150N10A-F102

IPP16CN10NGHKSA1备选型号: FDP150N10A-F102

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPP16CN10NGHKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    PG-TO220-3
    53A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    100W
    15 ns
    N-Channel
    16.5mOhm @ 53A, 10V
    4V @ 61μA
    3220pF @ 50V
    48nC @ 10V
    14ns
    100V
    ±20V
    7 ns
    53A
    20V
    3.22nF
    16.5 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP150N10A-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    91W
    13 ns
    N-Channel
    15m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 50V
    21nC @ 10V
    16ns
    -
    ±20V
    5 ns
    50A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    3
    1.8g
    yes
    EAR99
    Single
    100V
    15.215mm
    10.36mm
    4.672mm
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