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首页 全部分类 IPP410N30NAKSA1 vs IRFB4137PBF

IPP410N30NAKSA1备选型号: IRFB4137PBF

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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP410N30NAKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    41m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 270μA
    无卤素
    7180pF @ 100V
    87nC @ 10V
    ±20V
    44A
    TO-220AB
    20V
    300V
    300V
    240 mJ
    175°C
    20.7mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4137PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    38A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    341W
    -
    18 ns
    N-Channel
    69m Ω @ 24A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    5168pF @ 50V
    125nC @ 10V
    ±20V
    38A
    -
    20V
    -
    300V
    -
    -
    9.02mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    EAR99
    69MOhm
    Single
    23ns
    20 ns
    5V
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
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