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首页 全部分类 IPP50R199CPXKSA1 vs SPA21N50C3XKSA1

IPP50R199CPXKSA1备选型号: SPA21N50C3XKSA1

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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP50R199CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    139W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    199m Ω @ 9.9A, 10V
    3.5V @ 660μA
    无卤素
    1800pF @ 100V
    45nC @ 10V
    14ns
    550V
    ±20V
    10 ns
    17A
    3V
    TO-220AB
    20V
    0.199Ohm
    500V
    40A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA21N50C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
    -
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    -
    SILICON
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    3.9V @ 1mA
    -
    2400pF @ 25V
    95nC @ 10V
    -
    560V
    ±20V
    -
    -
    -
    TO-220AB
    -
    0.19Ohm
    -
    63A
    -
    ROHS3 Compliant
    雪崩 额定
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    21A
    500V
    690 mJ
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