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首页 全部分类 IPP50R399CPHKSA1 vs IPA65R310CFDXKSA1

IPP50R399CPHKSA1备选型号: IPA65R310CFDXKSA1

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  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP50R399CPHKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    PG-TO220-3-1
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    399mOhm @ 4.9A, 10V
    3.5V @ 330μA
    890pF @ 100V
    23nC @ 10V
    560V
    ±20V
    9A
    890pF
    399 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R310CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    11.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    310m Ω @ 4.4A, 10V
    4.5V @ 440μA
    1100pF @ 100V
    41nC @ 10V
    -
    ±20V
    11.4A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    32W
    ISOLATED
    11 ns
    SWITCHING
    无卤素
    7.5ns
    7 ns
    TO-220AB
    20V
    650V
    290 mJ
    无铅
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