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首页 全部分类 IPP50R399CPXKSA1 vs STP11NM60

IPP50R399CPXKSA1备选型号: STP11NM60

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  • 晶体管应用
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP50R399CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    399m Ω @ 4.9A, 10V
    3.5V @ 330μA
    无卤素
    890pF @ 100V
    4nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    14 ns
    9A
    3V
    TO-220AB
    20V
    500V
    9A
    500V
    20A
    215 mJ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP11NM60
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    11A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    -
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    1000pF @ 25V
    30nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    11 ns
    11A
    4V
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    600V
    44A
    -
    6.35mm
    31.75mm
    12.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    4.535924g
    EAR99
    450mOhm
    600V
    11A
    STP11N
    650V
    无
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