IPP60R060C7XKSA1备选型号: STP34NM60N
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 600V 35A TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON35A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72008e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 15.9A, 10V4V @ 800μA无卤素2850pF @ 400V68nC @ 10V±20V35ATO-220AB600V0.06Ohm159 mJROHS3 Compliant无铅-------------------
- Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes16 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON29A Tc150°C TJTubeMDmesh™ II-e3-活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)-----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING105m Ω @ 14.5A, 10V4V @ 250μA-2722pF @ 100V80nC @ 10V±25V29ATO-220AB---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3EAR99105MOhmSTP34N3Single210W17 ns34ns70 ns3V25V600V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
![]() | IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | 对比 |
![]() | IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |




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