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IPP60R125CPXKSA1备选型号: STP34NM60ND
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- 元素配置
- 箱体转运
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 25A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON25A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2007e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)600VSINGLE未说明25A未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET208W15 nsN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 16A, 10V3.5V @ 1.1mA无卤素2500pF @ 100V70nC @ 10V5ns650V±20V25ATO-220AB20V600V82A708 mJROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD16 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON29A Tc150°C TJTubeFDmesh™ II-e3-活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)-----3--增强型MOSFET190W30 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA-2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns-±25V29ATO-220AB25V---ROHS3 Compliant无铅EAR99110MOhmULTRA-LOW RESISTANCESTP34NSingleDRAIN61.8 ns4V600V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | 对比 |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD | 对比 |
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