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IPP60R125P6XKSA1备选型号: IPP60R099P6XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 通道数量
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 600V TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON30A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62014e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 11.6A, 10V4.5V @ 960μA无卤素2660pF @ 100V56nC @ 10V9ns±20V5 ns30ATO-220AB30V600V0.125Ohm87AROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 600V TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-33-37.9A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-未说明未说明---20 nsN-Channel-99m Ω @ 14.5A, 10V4.5V @ 1.21mA无卤素3330pF @ 100V70nC @ 10V10ns±20V5 ns37.9A-20V600V--ROHS3 Compliant无铅1278W3.5V600V150°C20.7mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
 | FCP125N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |
| FCP25N60N-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP25N60N_F102 MOSFET, N CH, 600V, 25A, TO220 | 对比 |
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