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首页 全部分类 IPP60R230P6XKSA1 vs IPP60R199CPXKSA1

IPP60R230P6XKSA1备选型号: IPP60R199CPXKSA1

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP60R230P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    PG-TO220-3
    16.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    12 ns
    N-Channel
    230mOhm @ 6.4A, 10V
    4.5V @ 530μA
    无卤素
    1450pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    600V
    ±20V
    6 ns
    16.8A
    20V
    600V
    1.45nF
    207mOhm
    230 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R199CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    10 ns
    N-Channel
    199m Ω @ 9.9A, 10V
    3.5V @ 660μA
    无卤素
    1520pF @ 100V
    43nC @ 10V
    5ns
    650V
    ±20V
    -
    16A
    20V
    600V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    SINGLE
    16A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    139W
    SWITCHING
    TO-220AB
    无
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