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IPP65R190CFDXKSA1备选型号: IPP60R165CPXKSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 箱体转运
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO22018 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON17.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3SINGLE未说明未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET151W12 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 7.3A, 10V4.5V @ 730μA无卤素1850pF @ 100V68nC @ 10V8.4ns±20V6.4 ns17.5ATO-220AB20V650V57.2A484 mJROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 600V 21A TO-2208 Weeks-通孔通孔TO-220-33SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)2SINGLE未说明未说明4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET192W12 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA无卤素2000pF @ 100V52nC @ 10V5ns±20V-21A-20V600V-522 mJROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)600V鸥翼21AR-PSSO-G2DRAIN
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO-220 | 对比 |
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | 对比 |
| IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 对比 |
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