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首页 全部分类 IPP65R225C7XKSA1 vs STP18N65M2

IPP65R225C7XKSA1备选型号: STP18N65M2

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPP65R225C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    9 ns
    N-Channel
    225m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 240μA
    无卤素
    996pF @ 400V
    20nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    10 ns
    11A
    20V
    650V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP18N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 12A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    12A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    11 ns
    N-Channel
    330m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    770pF @ 100V
    20nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    12A
    25V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    STP18N
    Single
    650V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
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