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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.487233
10
¥20.270975
100
¥19.12356
500
¥18.041095
1000
¥17.019901
Infineon Technologies IPP65R225C7XKSA1
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- 对比
IPP65R225C7XKSA1
1211-IPP65R225C7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP65R225C7XKSA1详情
Infineon Technologies IPP65R225C7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
63W Tc
Turn Off Delay Time
48 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
225m Ω @ 4.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 240μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
996pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP65R225C7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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