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首页 全部分类 IPP70N10S312AKSA1 vs NDPL070N10BG

IPP70N10S312AKSA1备选型号: NDPL070N10BG

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP70N10S312AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    70A Tc
    2008
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    17 ns
    N-Channel
    11.6m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 83μA
    无卤素
    4355pF @ 25V
    66nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    70A
    TO-220AB
    20V
    100V
    0.0116Ohm
    280A
    410 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDPL070N10BG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V
    TO-220-3
    通孔
    Surface Mount, Through Hole
    3
    -
    70A Ta
    -
    -
    Tube
    175°C TJ
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    30 ns
    N-Channel
    10.8m Ω @ 35A, 15V
    4V @ 1mA
    -
    2010pF @ 50V
    26nC @ 10V
    180ns
    ±20V
    70A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    4 Weeks
    yes
    100V
    40 ns
    4V
    无SVHC
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