IPP70N10S312AKSA1备选型号: STP75NF75FP
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3TO-220-3通孔通孔3SILICON70A Tc2008OptiMOS™Tube-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET17 nsN-Channel11.6m Ω @ 70A, 10V4V @ 83μA无卤素4355pF @ 25V66nC @ 10V8ns±20V70ATO-220AB20V100V0.0116Ohm280A410 mJROHS3 Compliant含铅---------------
- N channel 75 V 11 mOhm Flange Mount StripFET II Power Mosfet - TO-220FPTO-220-3 Full Pack通孔通孔3SILICON80A Tc-STripFET™ IITube-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-----增强型MOSFET25 nsN-Channel11m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA-3700pF @ 25V160nC @ 10V100ns±20V80ATO-220AB20V---700 mJROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksSTP75N31Single45WISOLATEDSWITCHING30 ns2V75V175°C20mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB7787PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 83A TO220 | 对比 |
![]() | PSMN8R5-100XSQ | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | MOSFET PSMN8R5-100XS/TO-220F/RAILH | 对比 |
![]() | NDPL070N10BG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V | 对比 |







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