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首页 全部分类 IPP80N04S204AKSA1 vs FDP8441

IPP80N04S204AKSA1备选型号: FDP8441

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S204AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    26 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    无卤素
    5300pF @ 25V
    170nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    32 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    40V
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8441
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    23A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    300W
    23 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    15000pF @ 25V
    280nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    17.9 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    yes
    2.7MOhm
    40V
    80A
    Single
    DRAIN
    SWITCHING
    2.8V
    40V
    947 mJ
    无SVHC
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