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首页 全部分类 IPP80N04S204AKSA1 vs IPP100N04S303AKSA1

IPP80N04S204AKSA1备选型号: IPP100N04S303AKSA1

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S204AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    26 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    5300pF @ 25V
    170nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    32 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    40V
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S303AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    4V @ 150μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    214W
    30 ns
    N-Channel
    2.8m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    9600pF @ 25V
    145nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    17 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    40V
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    0.0028Ohm
    400A
    898 mJ
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