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首页 全部分类 IPP80N04S403AKSA1 vs SPP80N03S2L04AKSA1

IPP80N04S403AKSA1备选型号: SPP80N03S2L04AKSA1

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S403AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    94W
    14 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 53μA
    无卤素
    5260pF @ 25V
    66nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    40V
    0.0037Ohm
    320A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPP80N03S2L04AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    52 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    188W
    13 ns
    N-Channel
    4.2mOhm @ 80A, 10V
    2V @ 130μA
    -
    3900pF @ 25V
    105nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    19 ns
    80A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO220-3-1
    175°C
    -55°C
    30V
    3.9nF
    4.2 mΩ
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