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首页 全部分类 IPP80N04S4L04AKSA1 vs IPA041N04NGXKSA1

IPP80N04S4L04AKSA1备选型号: IPA041N04NGXKSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S4L04AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    2.2V @ 35μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    7 ns
    N-Channel
    4.3m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    4690pF @ 25V
    60nC @ 10V
    12ns
    +20V, -16V
    31 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    40V
    100 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA041N04NGXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    35W Tc
    4V @ 45μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    16 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 70A, 10V
    无卤素
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    3.8ns
    ±20V
    4.8 ns
    70A
    -
    20V
    40V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO220-FP
    175°C
    -55°C
    40V
    4.5nF
    3.5mOhm
    4.1 mΩ
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