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首页 全部分类 IPP80N06S2L06AKSA1 vs IPP100N06S205AKSA1

IPP80N06S2L06AKSA1备选型号: IPP100N06S205AKSA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S2L06AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    11 ns
    N-Channel
    6.3m Ω @ 69A, 10V
    2V @ 180μA
    无卤素
    3800pF @ 25V
    150nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    20 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    55V
    0.0081Ohm
    55V
    15.65mm
    10mm
    4.4mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S205AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    300W
    21 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    5110pF @ 25V
    170nC @ 10V
    31ns
    ±20V
    -
    100A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.005Ohm
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    55V
    400A
    55V
    无
  • 添加型号
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