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首页 全部分类 IPP80N06S2L11AKSA2 vs AUIRF3504

IPP80N06S2L11AKSA2备选型号: AUIRF3504

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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S2L11AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    11 ns
    N-Channel
    10.7m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 93μA
    无卤素
    2075pF @ 25V
    80nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    13 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    55V
    0.0147Ohm
    280 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF3504
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    87A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    -
    增强型MOSFET
    9.9 ns
    N-Channel
    9.2m Ω @ 52A, 10V
    4V @ 100μA
    -
    2150pF @ 25V
    54nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    29 ns
    87A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.0092Ohm
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    Tin
    EAR99
    Single
    143W
    DRAIN
    SWITCHING
    2V
    40V
    2 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
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