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首页 全部分类 IPP90R1K2C3XKSA1 vs FQP4N90C

IPP90R1K2C3XKSA1备选型号: FQP4N90C

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  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP90R1K2C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    5.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83W
    70 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    3.5V @ 310μA
    无卤素
    710pF @ 100V
    28nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    40 ns
    5.1A
    TO-220AB
    20V
    900V
    68 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N90C
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    140W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    960pF @ 25V
    22nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    35 ns
    4A
    TO-220AB
    30V
    -
    570 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    1.8g
    900V
    未说明
    4A
    未说明
    不合格
    Single
    5V
    4A
    900V
    9.2mm
    9.9mm
    4.5mm
    无SVHC
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