IPS50R520CP备选型号: STU8N65M5
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 附加功能
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON7.1A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2007yesObsolete1 (Unlimited)3未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET66W35 nsN-Channel520m Ω @ 3.8A, 10V3.5V @ 250μA680pF @ 100V17nC @ 10V14ns550V±20V17 ns7.1A20V500V0.52Ohm500V3 V符合RoHS标准------------
- MOSFET N-CH 650V 7A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON7A Tc150°C TJTubeMDmesh™ V-yesObsolete1 (Unlimited)3--3-Single增强型MOSFET70W50 nsN-Channel600m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA690pF @ 100V15nC @ 10V14ns-±25V11 ns7A25V-0.6Ohm650V-ROHS3 CompliantEAR99ULTRA-LOW RESISTANCESTU8NSWITCHING4V7A28A6.9mm6.6mm2.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STU8N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK | 对比 |
![]() | IPU60R600C6BKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube | 对比 |





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