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IPS65R1K0CEAKMA1备选型号: IPS65R1K5CEAKMA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- JESD-30代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-36 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3343.085929mgSILICON4.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yesDiscontinued1 (Unlimited)3Tin (Sn)未说明not_compliant未说明1Single增强型MOSFETDRAIN6.6 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 200μA无卤素328pF @ 100V15.3nC @ 10V5.2ns±20V13.6 ns4.3A20V650V1Ohm650V50 mJROHS3 Compliant含铅---- MOSFET N-CH 650V TO-251-36 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak-343.085929mgSILICON3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008-yesObsolete1 (Unlimited)3-未说明-未说明1Single增强型MOSFETDRAIN7.7 nsN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1A, 10V3.5V @ 100μA无卤素225pF @ 100V10.5nC @ 10V5.9ns±20V18.2 ns3.1A20V650V--26 mJ符合RoHS标准含铅EAR99R-PSIP-T38.3A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 对比 |
| SPS04N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-251 | 对比 |
 | IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3 | 对比 |
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